O que são semicondutores do tipo-n e do lipo-p?

O semicondutor do tipo-p é formado quando a impureza trivalente é adicionada ao semicondutor puro.

Da mesma forma, quando uma impureza penta valente é adicionada ao semicondutor puro, semicondutor do tipo-n é obtido.

Diferenças entre semicondutor tipo-p e tipo-n:

• Em um semicondutor do tipo-p, o elemento do grupo III da tabela periódica é adicionado como um elemento de dopagem, enquanto no tipo-n o elemento do grupo V é o elemento de dopagem.
• Impurezas trivalentes como alumínio, gálio e índio são adicionadas no semicondutor tipo-p, enquanto no semicondutor tipo-n impurezas penta valentes como arsênio, antimônio, fósforo, bismuto, etc. são adicionados.
• A impureza adicionada no semicondutor do tipo-p fornece buracos extras conhecidos como átomo aceitador, enquanto no semicondutor do tipo-n a impureza fornece elétrons extras e é denominado como átomo doador.
• Em um semicondutor do tipo-p, os portadores majoritários são buracos e os portadores minoritários são elétrons. No semicondutor do tipo-n, os elétrons são portadores majoritários e os buracos são portadores minoritários.
• A densidade do elétron é muito maior do que a densidade do buraco no semicondutor do tipo-n denotado como enquanto, no semicondutor do tipo-p, a densidade do buraco é muito maior do que a densidade do elétron .
• Em um semicondutor do tipo-n, o nível de energia doador está próximo à banda de condução e longe da banda de valência. No semicondutor do tipo-p, o nível de energia aceitadora está próximo à banda de valência e longe da banda de condução.
• O nível de Fermi do semicondutor tipo-n fica entre o nível de energia doador e a banda de condução, enquanto o nível de Fermi do semicondutor tipo-p fica entre o nível de energia aceitadora e a banda de valência.
• As operadoras majoritárias passam do potencial mais alto para o mais baixo no tipo-p, ao passo que, no tipo-n, as operadoras majoritárias passam do potencial mais baixo para o mais alto.