Faça um diagrama de níveis de energia como o da figura 13-16 para um transistor n-p-n e descreva o funcionamento como amplificador de potência do transistor a partir do diagrama.

Considere a região n à esquerda da figura como o emissor, a região p no centro como a base e a região n à direita como o coletor. A junção np entre o emissor e a base é polarizada diretamente pela aplicação de uma tensão positiva à região p e uma tensão negativa à região n mais à esquerda, e a junção pn entre a base e o coletor é polarizada reversamente pela aplicação de um positivo, com a voltagem para a região n mais à direita. A polarização direta da junção emissor-base diminui a altura da colina de potencial experimentada pelos elétrons, então há muita pouca resistência ao fluxo de elétrons e uma alta corrente de recombinação pode ser alcançada. Uma vez que esses elétrons entram na região p da base, eles são atraídos pela diferença de potencial através da junção base-coletor e configurar uma corrente através do coletor, mas deve atravessar um hilf de potencial mais alto para fazer isso e então experimentar uma resistência comparativamente grande. A corrente configurada através do circuito coletor é comparável em magnitude àquela fornecida através do circuito emissor, mas uma vez que a resistência é muito maior no circuito coletor e a potência é o produto da corrente e da resistência ao quadrado, a saída de energia do circuito coletor é muito amplificado sobre a entrada do circuito emissor