Enunciado
Física - Halliday - Vol 4- Ed: 10º - Capítulo 41.3 - Ex. 44
Um MOSFET de silício tem um porta quadrada com de lado. A camada isolante de óxido de silício que separa a porta do substrato tipo tem de espessura e uma constante dielétrica de . (a) Qual é a capacitância equivalente do conjunto porta-substrato (considerando a porta como uma das placas do capacitor e o substrato como a outra placa)? (b) Quantas cargas elementares se acumulam na porta quando existe uma diferença de potencial entre a porta e a fonte?*
* No MOSFET a que se refere este problema, que é de um tipo diferente do descrito no texto, não existe um região tipo ligando a fonte ao ****, o canal é obtido exclusivamente por polarização da porta. É por isso que existe apenas material isolante entre a porta e o substrato tipo .(N.T.)
Passo 1
Vamos pegar nossos livros de física 3 e relembrar que a capacitância pode ser dada por
Enquanto a quantidade de cargas elementares pode ser dada por uma relação bem mais simples
Passo 2
- Já nos foi dado a constante dielétrica. Devemos olhar no índice de nosso livro para encontrar que a não ser que você caro aluno(a) tenha decorado hahaha. Desta forma podemos dizer que
- Da relação sugerida
Passo 3
onde