Um MOSFET de silício tem um porta quadrada com 0,50μ m de lado. A camada isolante de óxido de silício que separa a porta do substrato tipo p tem 0,20μ m de espessura e uma constante dielétrica de 4,5 . (a) Qual é a capacitância equivalente do conjunto porta-substrato (considerando a porta como uma das placas do capacitor e o substrato como a outra placa)? (b) Quantas cargas elementares e se acumulam na porta quando existe uma diferença de potencial 1,0V entre a porta e a fonte?** No MOSFET a que se refere este problema, que é de um tipo diferente do descrito no texto, não existe um região tipo n ligando a fonte ao ****, o canal é obtido exclusivamente por polarização da porta. É por isso que existe apenas material isolante entre a porta e o substrato tipo p .(N.T.)

C = 5,0 × 10 - 17 F N = 3,1 × 10 2

Enunciado

Vamos pegar nossos livros de física 3 e relembrar que a capacitância pode ser dada por

Enquanto a quantidade de cargas elementares pode ser dada por uma relação bem mais simples

Já nos foi dado a constante dielétrica. Devemos olhar no índice de nosso livro para encontrar que a não ser que você caro aluno(a) tenha decorado hahaha. Desta forma podemos dizer que

onde