Enunciado

a) Mostre que o número de elétrons por unidade de volume na banda de condução de urn semicondutor intrínseco é dado por N c   e - δ c - δ f K T , onde N c = 2 2 π m k t 3 2 h 3 , e E c é a energia da base da banda de condução.

b) Mostre que o número de buracos por unidade de volume na banda de valência de um semicondutor intrínseco é dado por N v   e - E f - E v K T , onde N v = 2 2 π K T 3 2 h 3 , e E v a energia do topo da banda de valência.

Passo 1

Falaaaaa rapaziada tudo blz?

Para iniciarmos a letra (a) temos que utilizar a fórmila da distribuição de fermi que é

n E = e E - E P K T + 1 - 1

E a densidade de estados é

N(E) = A E - E C 1 2     ;     A = 8 π V 2 m 3 1 2 h 3

Com isso o número de eletrons de condução vai ser

N c = ∫ E c ∞ A E - E c 1 2   e E - E p K T + 1 - 1 d E

Se o material é semicondutor ou isolante, espera-se que ao longo da faixa de integração ( E c - E p ) ≫ K T , com isso E - E f ≫ K T ,

N c = A   ∫ E c ∞ E - E c 1 2   e - E - E p K T d E

N c = A e E f - E c K T   ∫ E c ∞ E - E c 1 2     e - E - E c K T d E

N c = A e E p - E c K T K T 3 2   ∫ 0 ∞ x 1 2   e - x   d x

O valor da integração é π 2 , portanto inserindo na expressão A temos

N c V = 2 h 3 2 π m k t 3 2   e - E c - E p K T

Passo 2

Já na letra (b) par a banda de valência temos que,

N E = A E v - E 1 2

Com isso o número de N v de buracos é dado a partir de

N - N v =   ∫ 0 E v M N   d E = A ∫ 0 E v E v - E 1 2 e E - E f K T + 1   - 1 d E

Desde que,

N = ∫ 0 ∞ M N d e , sendo N v = ∫ 0 ∞ M N   d e - ∫ 0 E V M N d e = ∫ 0 E v 1 - n n d E

Portanto,

∫ 0 E v E v - E 1 2   e E - E p K T + 1 - 1 d E =   ∫ 0 E v E v - E 1 2 1 - e - E p - E K T d E =   ∫ 0 E v E v - E 1 2   d E - e - E p - E v K T   ∫ 0 E v E v - E 1 2   e - E v - E K T   d E

Com isso a primeira integral vai ser

∫ 0 E v E v - E 1 2   d E = 2 3 E v 3 2

E escrevendo a segunda como

∫ 0 E v E v - E 1 2   e - E v - E K T d E = - K T 3 2   ∫ E v K T 0 x 1 2   e - x d x

Sendo E v K T ≫ 1 ,

K T 3 2   ∫ 0 ∞ x 4   e - x d x = x 4 2 K T 3 2

Usando para N o valor de T = 0 , temos

N = A ∫ 0 E v E v - E 1 2 1   d E = 2 3 A E v 3 2

Resposta

a) N c V = 2 h 3 2 π m k t 3 2   e - E c - E p K T

b)   N = 2 3 A E v 3 2

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