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Enunciado

Física - Halliday - Vol 4- Ed: 10º - Capítulo 41.2 - Ex. 38

No silício puro à temperatura ambiente, a concentração de elétrons na banda de condução é 5 × 10 15   m - 3 e a concentração de buracos na banda de valência tem o mesmo valor. Suponha que um em cada 10 7 átomos de silício seja substituído por um átomo de fosforo. (a) Que tipo de semicondutores é o novo material; n   o u   p ? (b) A concentração de que tipo de portador de carga aumenta com a dopagem? (c) Qual é a razão entre a concentração de portadores de carga (elétrons e buracos) no material dopado e a concentração no material não dopado?

Passo 1

  1. Como o fósforo possui um elétron a mais que o silício na camada de valência, o novo matéria seria do tipo n

    2. Passo 2

  2. Para o silício que está sendo dopado com elétron fornecidos pelo fósforos, temos um aumento na concentração de buracos no silício.

    3. Passo 3

  3. A razão pode ser obtida por

n P 2 5 × 10 15 m - 3 = 10 - 7 n S i 10 × 10 15 m - 3 = 10 - 7 ( 5 × 10 28 m - 3 ) 10 × 10 15 m - 3 = 5 × 10 5

Resposta

Ei, a resposta está no passo a passo :)

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