Enunciado
Ciência dos Materiais - Callister - Ciência e Engenharia de Materiais. Uma Introdução- Ed: 8º - Capítulo 18.Perguntas e Problemas - Ex. 40
Estime a condutividade elétrica à 85˚C para o silício que foi dopado com átomos de fósforo.
Passo 1
Pra resolver essa questão a gente vai ter que usar a fórmula da condutividade extrínseca:
Onde n é a concentração de doadores, e é a carga do elétron () e é a mobilidade dos elétrons para essa temperatura e concentração de doadores.
Olhando na Figura 18.19 no capítulo vemos que:
Passo 2
Substituindo os valores:
Resposta
Exercícios de Livros Relacionados
Usando a equação 18.36 e os resultados do problema 18.33, determine a temperatura no qual a condutividade elétrica do germanio instrissico é 22.8.
Cada um dos seguintes elementos atuará como doador ou aceitador quando adicionado ao material semicondutor indicado? Assumir que os elementos de impureza são substituíveis.
A condutividade elétrica do PbTe à temperatura ambiente é de 500Ω . m - 1 , enquanto as mobilidades dos elétrons e dos buracos são de 0,16 e 0,075m ² / V . s ² , respectivamente. Calcule a concentraçã
(a) A condutividade elétrica em temperatura ambiente de uma amostra de silício é 5,93' 10-3 (Ω-m)-1. A concentração do orifício é conhecida por ser 7,0 '10 17 m-3 . Utilizando as mobilidades de elétro
(a) Explicar porque não é gerado nenhum buraco pela excitação dos electrões envolvendo um átomo de impureza do doador. (b) Explicar porque é que nenhum electrão livre é gerado pela excitação dos elect