Um projeto de circuito integrado pede a difusão de boro no silício de pureza muito alta em uma temperatura elevada. É necessário que a uma distância de 0,2 µm da superfície da pastilha de silício, a condutividade elétrica à temperatura ambiente seja 1,2 × 103 (Ω m) -1. A concentração de B na superfície do silício é mantida em um nível constante de 1,0 × 1025 m-3; além disso, assume-se que a concentração de B no material a base de silício seja desprezível e que, à temperatura ambiente, os átomos de boro estejam saturados. Especifique a temperatura na qual esse tratamento térmico de difusão deve ser conduzido se o tempo de tratamento deve ser de uma hora. O coeficiente de difusão para a difusão de B no silício é uma função da temperatura com:

Galerinhaaa, primeiramente vamos definir a equação que devemos utilizar, partiu?

Sabendo que NB = 1023 m-3. Assim, o valor da mobilidade é:

Conforme a Figura 18.18, a uma concentração de impurezas de 1023 m-3, a mobilidade do furo é de 0,024 m2 / Vs, que é menor que o valor que obtemos. Para isso teremos que escolher outro valor de concentração e realizar o mesmo cálculo: 1024 m-3.

Conforme a Figura 18.18 do livro produz um µh de 0,01 m2 / Vs, que é inferior ao valor que encontramos. Portanto, a concentração correta de impurezas ficará entre 1023 e 1024 m-3.