Enunciado

Sabe-se que um metal hipotético possui uma resistividade elétrica de 4   x   10 - 8 Ω . m . Uma corrente de 30 A é passada através de uma amostra desse metal com 25 mm de espessura; quando um campo magnético de 0,75 tesla é imposto simultaneamente em uma direção perpendicular à corrente, uma voltagem de Hall de - 1,25   x   10 - 7   V é medida. Calcule (b) o número de elétrons livres por metro cúbico.

Passo 1

Pra resolver essa questão a gente pode usar a fórmula do Coeficiente de Hall:

R H = 1 n e

Ou também a fórmula da mobilidade do elétron:

μ e = 1 n e

Melhor usar a primeira porque é mais simples. Lembrando que a gente achou o valor de R na letra (a) e e é a carga do elétron!

Passo 2

Substituindo os valores:

- 1,9   x   10 - 10 = 1 n - 1,6   x   10 - 19

n = 3,29   x   10 28

Resposta

n = 3,29   x   10 28

Ver Outros Exercícios desse livro

Exercícios de Livros Relacionados

Um capacitor de placas paralelas que utiliza um material dielétrico com ϵ r de 2,5 possui um espaçamento entra placas de 1mm (0,04 in). Se outro material com constante dielétrica de 4,0 for usado e a
Em temperaturas entre 775˚C (1048 K) e 1100˚C (1373 K), a energia de ativação e a constante pré-exponencial para o coeficiente de difusão do F e + 2 no FeO são de 102.000J / m o l e 7,3x10 - 8 m ² / s
Um capacitor de placas paralelas com dimensões de 100 mm por 25 mm e com uma separação entre as placas de 3 mm deve ter uma capacitância mínima de 38 pF ( 3,8x10 - 11 F ) quando um potencial CA de 500
Observamos na Seção 12.5 (Figura12.22) que no FeO (wusita) os íons de ferro podem existir tanto no estado F e + 2 quanto no F e + 3 . A quantidade de cada um desses tipos de íons depende da temperatur
a) Nas suas próprias palavras, explique como as impurezas do doador em semicondutores dão origem a elétrons livres em números superiores aos gerados pelas excitações de banda de condução de valência.