A corrosão (ataque) por plasma (plasma etching) é essencial para a transferência de padrão de linha fina nos atuais processos dos semicondutores. O artigo “Ion Beam–Assisted Etching of Aluminum with Chlorine” (J. Electrochem. Soc., 1985, p. 2010–2012) apresenta os dados a seguir (reproduzidos de um gráfico) sobre o fluxo de cloro (x, em SCCM) por meio de um bocal usado no mecanismo de deposição e corrosão e na taxa de ataque (y, em 100A/min.)

As estatísticas são xi 24,0, yi 312,5, x 2 i 70,50, xi yi 902,25, y2 i 11.626,75, ˆ 0 6,448718, ˆ 1 10,602564. a. O modelo de regressão linear simples especifica uma relação útil entre o fluxo de cloro e a taxa de ataque? b. Estime a mudança média real na taxa de ataque associada com 1 SCCM de aumento na taxa de fluxo, usando um intervalo de confiança de 95% e interprete esse intervalo. c. Calcule um IC de 95% para Y3.0, a taxa média real de ataque quando o fluxo 3,0. Essa média foi estimada de maneira precisa? d. Calcule um IP de 95% para uma única observação futura sobre a taxa de ataque, a ser feita quando o fluxo 3,0. Existe alguma hipótese de a previsão ser precisa? e. O IC e o IP de 95%, quando o fluxo 2,5, seriam mais amplos ou mais estreitos que os intervalos correspondentes das partes (c) e (d)? Responda, sem, de fato, calcular os intervalos. f. Você recomendaria que se calculasse um IP de 95% para um fluxo de 6,0? Explique

Passo 1

Resposta