Enunciado
Química - Fundamentos de química analítica, Skoog- Ed: 8º - Capítulo 22.Questões e Problemas - Ex. 21
O níquel deve ser depositado em um cátodo de platina (área ) a partir de uma solução que é em , tamponada a . O oxigênio é formado a partir do ânodo de platina com uma área de , a uma pressão de . A célula tem uma resistência de ; a temperatura é de . Calcule:
- o potencial termodinâmico necessário para iniciar a deposição do níquel a partir da solução.
- a queda associada a uma corrente de .
- a densidade de corrente no ânodo e no cátodo.
- o potencial inicial aplicado, dado que a sobrevoltagem do oxigênio é de sob essas condições.
- o potencial aplicado quando a concentração de níquel tiver diminuído para . (Considere que todas as variáveis, exceto , permanecem constantes.)
Passo 1
Olá galerinha, espero que estejam todos bem! Vamos lá.
A deposição de níquel ocorre, necessariamente, no cátodo. Dado que não existe uma espécie mais facilmente oxidável que a água no sistema, será liberado no ânodo. As duas semirreações e seus correspondentes potenciais padrão de eletrodo são:
o potencial termodinâmico necessário para iniciar a deposição do níquel a partir da solução.
No item (a) queremos o potencial termodinâmico necessário para iniciar a deposição do níquel a partir da solução. E pelo enunciado temos:
;
;
.
Então:
O potencial para o eletrodo de níquel será:
Se é liberado a uma pressão de , o potencial para o eletrodo de oxigênio é:
O potencial da célula é:
Passo 2
No item (b) queremos descobrir a queda para , e pelo enunciado sabemos:
A queda é dado por:
Passo 3
No item (c) queremos a densidade de corrente no ânodo e no cátodo. E sabemos que a densidade de corrente é a corrente por unidade de área superficial de um eletrodo ().
O níquel é o cátodo com , então:
O é o ânodo com , então:
Passo 4
(d) O potencial inicial para :
Passo 5
No item (e) queremos saber o potencial aplicado para , então precisamos calcular o novo potencial de eletrodo da direita:
O novo potencial será:
Até mais galerinha!
Resposta
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- .
- ;
- .
- .
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