Enunciado

No processamento térmico de materiais semicondutores, a têmpera é efetuada pelo aquecimento de pastilhas de silício de acordo com uma programação temperatura-tempo e, a seguir, pela manutenção em uma temperatura fixa e elevada por um período de tempo preestabelecido. No dispositivo para o processamento mostrado adiante, a pastilha encontra-se em uma câmara onde há vácuo, cujas paredes são mantidas a 27°C, no interior da qual lâmpadas de aquecimento mantêm um fluxo térmico radiante q ˙ s na superfície superior da pastilha. A pastilha possui espessura de 0,78 mm, sua condutividade térmica é de 30 W/(m · K) e sua emissividade é igual à sua absortividade em relação ao fluxo térmico radiante (ε = α l = 0,65). Para q ˙ s = 3,0 × 10 5 W/m², a temperatura em sua superfície inferior é medida por um termômetro de radiação, sendo igual a T p , I = 997°C.

Para evitar o empeno da pastilha e a indução de planos de deslizamento na estrutura do cristal, a diferença de temperaturas ao longo da espessura da pastilha deve ser inferior a 2°C. Esta condição está sendo satisfeita?

Passo 1

Vamos analisar a questão juntos pra entendermos o que você deve fazer para revolvê-la.

Segundo o enunciado, queremos encontrar a temperatura da superfície superior ( T p , S ) da pastilha de silício, de modo a comparar com a temperatura da superfície inferior ( T p , I ) para saber se esta diferença é menor que 2 ° C para evitar que a pastilha empene.

Para isso, devemos fazer um balanço de energia na superfície superior da placa. Antes, devemos assumir algumas hipóteses simplificadoras para darmos embasamento física a nossa análise. Fique de olho:

  1. Em primeiro lugar, vamos considerar este um processo em estado estacionário, sem acúmulo;
  2. Vamos considerar, também, uma transferência de calor unidimensional;
  3. Por fim, como está no enunciado, a pastilha encontra-se em uma câmara a vácuo, onde não há fluido e, portanto, não há transferência de calor por convecção.

Para fazermos nosso balanço, devemos prestar atenção no esquema apresentado na figura abaixo:

Fazendo um balanço sem acúmulo, temos que o fluxo de energia que entra é igual ao que sai do volume de controle (parede superior da pastilha):

E e n t r a ' ' = E s a i ' '

Consideramos, então, o fluxo de energia que entra como a porção α l = 0,65 absorvida pela pastilha, e os fluxos de energia radiante e condutivo. O nosso balanço se torna, então:

α l q s ' ' = q r a d ' ' + q c o n d ' '

Eu sei que nesse Passo 1 te dei muitas informações, mas antes de ir pro Passo 2, vou te mostrar algumas grandezas fornecidas pelo enunciado pra você guardar na memória:

q ˙ s   =   3,0   ×   10 5   W / m ² ε   =   α l   =   0 , 65 T v i z   =   27   ° C T p , I   =   997   ° C L   =   0,78   m m k   =   30   W / ( m   ·   K )

Passo 2

Vamos agora destrinchar o balanço que eu te mostrei no passo 1. Em primeiro lugar, para calcular o fluxo radiante emitido pela superfície superior, devemos utilizar a seguinte equação:

q r a d ' ' =   ε σ ( T p , S 4 - T v i z 4 )  

Sendo σ a constante de Stefan–Boltzmann, que vale 5 , 67   ×   10 - 8 W m 2 . K 4 .

Além disso, quero dar uma dica: quando você for calcular uma taxa ou um fluxo de calor por radiação, lembre sempre de colocar a tempera em K, senão seu cálculo vai estar errado.

Sabendo disso, vamos deixar então o nosso fluxo radiante em função de T p , S :

q r a d ' ' = 0,65 5 , 67   ×   10 - 8 W m 2 . K 4 T p , S 4 - 27 + 273   K 4 = 3 , 69 x 10 - 8 T p , S 4 - 3 00   K 4  

Agora, vamos calcular o fluxo condutivo a partir da equação abaixo:

q c o n d ' ' =   k ( T p , S - T p , I ) L =   30   W / ( m   ·   K ) ( T p , S - 1270   K ) 0,78 ×   10 - 3   m = 3,85 x 10 4 T p , S - 4,88 46 x 10 7

Substituindo no balanço do Passo 1:

α l q s ' ' = q r a d ' ' + q c o n d ' '  

→ 0,65 3,0 x 10 5 W m 2 = 3 , 69 x 10 - 8 T p , S 4 - 300   K 4 + 3,85 x 10 4 T p , S - 3,83 x 10 7

Reorganizando a equação para explicitar T p , S :

1,95 x 10 5 + 298,89 + 4,88 46 x 10 7 - 3 , 69 x 10 - 8 T p , S 4 - 3 , 85 x 10 4 T p , S = 0

→   3 , 69 x 10 - 8 T p , S 4 + 3 , 85 x 10 4 T p , S   - 4,90 1453 4 x 10 7   = 0

Para encontrar o valor de T p , S basta resolver a equação acima. Nesta resolução, foi utilizado o método de busca direta em uma calculadora, mas você pode se sentir livre para resolver da maneira que desejar. Sendo assim:

T p , S =   1270,6   K = 997,6   ° C

Logo, a diferença entre as temperaturas pode ser calculada como:

T p , S - T p , I = 997,6   ° C -   997   ° C = 0,6   ° C

Como a diferença é menor que 2   ° C , a pastilha não vai empenar.

Resposta

Como demonstrado no Passo 2, a diferença de temperatura é T p , S - T p , I = 0,6   ° C .

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